GTC2018 美国技术大会

      芯和半导体将于2018年9月25日参加在美国圣克拉拉举办的2018GLOBALFOUNDRIES技术大会。作为GLOBALFOUNDRIES重要的EDA合作伙伴,芯和半导体现场将带来多项技术演示,热门演示包括:

IRIS-HFSS整合流程,助力GLOBALFOUNDRIES工艺下的电磁仿真

  • 该流程无缝集成在Cadence Virtuoso平台中,并使用Xpeedic加速矩量法引擎和人工神经网络(ANN)技术,既提供在设计阶段快速准确的无源器件建模和电路综合功能,又能在Sign-Off阶段使用HFSS实现验证功能。


针对射频前端设计的集成无源器件(IPD)技术

  • IPD技术是实现高集成度射频前端模块的核心技术。利用高阻硅和厚铜工艺使IPD既有半导体工艺的一致性和高集成度,又有和LTCC等传统厚膜工艺类似的射频性能。芯和半导体以其独到的IPD设计方法和流程,开发了一系列的滤波器、双工器、耦合器、功分器等器件,广泛应用到天线开关模组、功放模组等射频前端模组中。


IPD驱动的系统级封装小型化技术

  • SiP技术能把不同工艺(CMOS,SOI,GaAs 等)、不同功能(数字,模拟,射频等)的多种芯片集成到一个封装里,实现小型化、高性能、低成本的优势。芯和半导体SiP技术在此基础上,还能集成进其独具特色的IPD,可实现更高的集成度。得益于芯和半导体自己定制的EDA工具、专注于IPD/SiP设计的团队和上下游晶圆封装合作伙伴,芯和半导体能为客户提供一站式的SiP解决方案和服务。


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2018

9月25日

美国·圣克拉拉