IPD旗舰产品——硅电容
随着先进封装技术的发展，对高性能、高密度、低高度的电容需求越来越迫切，硅电容作为 MLCC 的高端替代产品， 当前广泛应用于电源去耦，高频高速传输等领域。
芯和半导体“硅基高密度电容解决方案”优点
小型化
硅电容具有超薄厚度，与 MLCC 同样型号的尺寸硅电容的占板面积更小，且串扰小，信号走线可以更近，节省基板面积
高性能
与 MLCC 电容相比，硅电容容量稳定，有效容量更高，几乎不受温度、电压、频率变化影响，高可靠性， 老化时间可达 10 年，距离主芯片更近，整体 ESR 和 ESL 更低
多形式
封装形式灵活多样，适用于先进封装技术，可表贴、FC、WB、嵌入
可定制
硅电容的容值、尺寸、厚度均可定制，可定制高度集成的排容、多端子，给客户提供性能高、成本低的解决方案
